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SK 海力士正在积极探索 HBM4E 内存，尝试推出可以实现计算、高速缓存和网络存储器等多种功能的 HBM 类型，进一步提高能效和信号传···

三星在给路透社的一份声明中表示，HBM 是一款定制内存产品，需要“根据客户需求进行优化流程”，并补充说，该公司正在通过与客户···

由于需要在多层 DRAM 间构建 TSV 通道，HBM 良率天生落后于标准内存，这也是阻碍产能提升的重要因素。

业内消息称三星、SK 海力士和美光都在积极投资高带宽内存（HBM），而由于产能挤占效应，下半年 DRAM 产品可能会面临短缺。

尽管三大原厂的新厂将于 2025 年完工，但部分厂房后续的量产时间尚未有明确规划，需依赖 2024 年的获利，才得以持续扩大规模。

三星目前的 HBM3E 内存仍采用 1a nm 制程 DRAM 裸片，相较竞品存在能效劣势。