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消息称三星电子考虑在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM，提升能效竞争力

三星目前的 HBM3E 内存仍采用 1a nm 制程 DRAM 裸片，相较竞品存在能效劣势。

2024-05-18 5
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消息称三星电子考虑在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM，提升能效竞争力
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