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南亚科技目前已在进行 1B nm 制程的 DRAM 试产，涵盖 8/4Gb DDR4 内存和 16Gb DDR5 内存。

该晶圆厂建设计划此前遭遇推迟，目前定于 2026 年初动工，有望于 2027 年末正式投产。

该固态硬盘的 2TB 版本拥有 7300/6000 MB/s 顺序读写速率和 750K / 850K IOPS 随机读写速率。

这主要是因为相关需求未真正复苏、国际局势不稳影响需求可见度、HBM 扩产影响通用 DRAM 投片量。

业内消息称三星、SK 海力士和美光都在积极投资高带宽内存（HBM），而由于产能挤占效应，下半年 DRAM 产品可能会面临短缺。

3D 内存主要有两大技术路线，4F2 VCT DRAM 聚焦 DRAM 单元结构的 3D 化，另一路线则瞄准 3D 堆叠。