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迈向 3D 内存：三星电子计划 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型开发

3D 内存主要有两大技术路线，4F2 VCT DRAM 聚焦 DRAM 单元结构的 3D 化，另一路线则瞄准 3D 堆叠。

2024-05-21 3
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