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同工会谈判破裂,三星电子遭遇成立以来首次罢工

工会同企业方面的主要矛盾一是今年的涨薪幅度,二是三星电子按经济附加值计算的绩效奖金制度。

2024-06-02 3
同工会谈判破裂,三星电子遭遇成立以来首次罢工

三星电子:正按计划推进 eMRAM 内存制程升级,8nm 版本基本完成开发

eMRAM 内存是一种新型非易失性内存,相较需要不断刷新数据的传统 DRAM 更为节能高效。

2024-05-31 4
三星电子:正按计划推进 eMRAM 内存制程升级,8nm 版本基本完成开发

迈向 3D 内存:三星电子计划 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型开发

3D 内存主要有两大技术路线,4F2 VCT DRAM 聚焦 DRAM 单元结构的 3D 化,另一路线则瞄准 3D 堆叠。

2024-05-21 3
迈向 3D 内存:三星电子计划 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型开发

三星电子高层换将:全永贤接替庆桂显出任 DS(设备解决方案)部负责人

三星电子期待前未来业务规划部负责人全永贤凭借丰富的管理知识帮助三星克服半导体危机。

2024-05-21 3
三星电子高层换将:全永贤接替庆桂显出任 DS(设备解决方案)部负责人

消息称三星电子考虑在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM,提升能效竞争力

三星目前的 HBM3E 内存仍采用 1a nm 制程 DRAM 裸片,相较竞品存在能效劣势。

2024-05-18 4
消息称三星电子考虑在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM,提升能效竞争力
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