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由于需要在多层 DRAM 间构建 TSV 通道,HBM 良率天生落后于标准内存,这也是阻碍产能提升的重要因素。
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尽管三大原厂的新厂将于 2025 年完工,但部分厂房后续的量产时间尚未有明确规划,需依赖 2024 年的获利,才得以持续扩大规模。
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